STU12N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU12N65M5技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STU12N65M5这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是意法半导体MDmesh V系列的代表作，更是历经市场考验的效能标杆。凭借高达650V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流能力，它为您的电源设计构筑了一道坚实的安全防线，让您在应对复杂工况时充满信心。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或是工业逆变器的核心位置，正是需要这样一颗“心脏”来驱动整个系统高效运转。STU12N65M5凭借其N沟道设计和优化的MDmesh V技术，在导通电阻与开关损耗之间取得了精妙的平衡。430毫欧的典型导通电阻意味着更低的传导损耗，而22nC的低栅极电荷则显著降低了开关损耗，这直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，无论是追求更长的使用寿命，还是更低的运行成本，它都能提供强有力的支持。

选择STU12N65M5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与成熟方案。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对长期可靠性有极高要求场景下的明智之选。其通孔IPAK封装确保了出色的机械强度和散热能力，最高150°C的结温赋予了设计充分的余量。当您需要为经典设计寻找可靠的核心部件时，通过值得信赖的ST授权代理渠道获取，不仅能确保原装正品，更能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的产品创新之路走得更稳、更远。

型号:STU12N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压应用的功率开关选型而烦恼吗？STU12N65M5正是为您解决这一难题的得力助手。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有650V的高耐压和8.5A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，轻松应对高压挑战，确保系统稳定可靠地运行。

它采用了先进的MDmesh V技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至430毫欧，栅极电荷也仅为22nC。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效，减少发热。其坚固的I-PAK通孔封装和高达70W的功率耗散能力，更能让您的设计在高温环境下依然保持高效输出，简化您的散热设计，助您打造更具市场竞争力的高性能产品。