STU16N65M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STU16N65M2。这款650V、11A的N沟道MOSFET，凭借其革命性的超结技术，将功率转换效率提升至全新高度，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，不仅性能卓越，更能显著降低系统总成本。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能LED照明驱动器中，STU16N65M2正以其卓越的电气特性大放异彩。其低至360毫欧的导通电阻（RDS(on)）与仅为19.5nC的栅极电荷（Qg）实现了完美平衡，这意味着更低的传导损耗和开关损耗。在频繁开关的应用中，它能有效减少热量产生，提升系统可靠性，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是应对严苛的工业环境，还是满足消费类产品对小型化的极致追求，它都能游刃有余。

选择STU16N65M2，就是选择了一份安心与高效。它继承了ST意法半导体MDmesh M2系列一贯的高品质与高可靠性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种极端条件下稳定运行。其采用坚固的IPAK（TO-251）通孔封装，易于焊接和散热管理，为工程师的设计提供了极大的便利。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受专业的技术支持与快捷的供货服务，让您的项目从研发到量产一路畅通。立即采用STU16N65M2，为您的下一个电源设计注入强劲动力与卓越能效！

• 型号:STU16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU16N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与出色性价比的功率开关管吗？STU16N65M2正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和11A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗。

这意味着，在您的AC-DC电源、电机控制或PFC电路中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少散热需求，从而让您的终端产品更节能、更紧凑、运行更稳定。其宽泛的工作温度范围和坚固的封装，确保它能在各种挑战性环境中持久服役，让您设计起来更安心，产品竞争力更强。