STU25N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU25N10F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统温升而烦恼？想象一下，一个能同时兼顾高耐压、大电流和超低导通电阻的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的革新之作STU25N10F7。它不仅仅是一颗MOSFET，更是基于先进STripFET F7技术打造的高性能引擎，旨在为您的电源转换、电机驱动等应用注入澎湃而高效的动力。

这颗芯片的强大，首先体现在其硬核参数上。100V的漏源电压和25A的连续漏极电流，赋予了它应对严苛工况的从容底气。而其精髓在于优化的导通电阻特性，在4.5V至10V的驱动电压范围内，它能实现极低的RdsOn，这意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，热量产生显著降低。无论是用于服务器电源的同步整流，还是电动工具中电机的PWM控制，STU25N10F7都能确保能量更顺畅地流动，让系统运行更凉爽、更持久。其通孔IPAK封装，兼顾了功率处理能力和在PCB板上的稳固性，非常适合工业级应用的可靠性要求。

选择STU25N10F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它源自意法半导体深厚的功率器件设计底蕴，STripFET F7系列以其优异的品质和一致性著称。虽然该型号已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在前代成熟、稳定产品中的经典地位，对于产品维护、升级或特定高可靠性需求的项目而言，它依然是经过时间淬炼的优选。当您需要获取这颗性能标杆或进行技术咨询时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到供应的全方位支持。让STU25N10F7成为您提升产品能效、赢得市场竞争的秘密武器，开启高效电能管理的新篇章。

制造商产品型号：STU25N10F7
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：STripFET F7
零件状态：不用於新
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：25A
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
FET功能：-
功率耗散（最大值）：-
工作温度：-
安装类型：通孔
器件封装：I-PAK
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还在寻找那颗能扛起大功率开关重任的“核心担当”吗？STU25N10F7正是为您而来的解决方案。作为一款N沟道100V/25A的功率MOSFET，它基于意法半导体先进的STripFET F7技术，核心使命就是让您的电能转换效率大幅提升。它通过极低的导通电阻，显著减少开关过程中的功率损耗，直接帮助您的设备运行更凉爽，续航更持久。

这颗芯片是驱动电机、构建高效DC-DC转换器或处理其他中等功率开关任务的理想选择。其稳健的IPAK通孔封装确保了出色的散热和机械可靠性，让您在设计高要求工业应用时更加安心。选择STU25N10F7，就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与可靠，轻松应对功率挑战。