STU27N3LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU27N3LH5技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？当传统MOSFET在高频应用中显得力不从心时，STU27N3LH5的出现，正是为了终结这种妥协。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体STripFET V系列技术的集大成者，以其卓越的导通电阻与栅极电荷性能，为您重新定义30V功率开关的效率边界。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动板或电池保护电路中，这颗芯片能带来怎样的改变。它高达27A的连续漏极电流承载能力和仅20毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的空间内，您可以传递更大的功率，同时将热量产生降至最低。无论是服务器电源中需要的高密度功率转换，还是电动工具中要求的瞬间大电流爆发，STU27N3LH5都能游刃有余，确保系统运行更凉爽、更稳定。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是为严苛的工业与汽车环境应用提供了坚实的可靠性保障。

选择STU27N3LH5，就是选择了一种经过市场验证的高效解决方案。尽管其已进入停产状态，但在许多成熟且对长期可靠性有极高要求的存量产品与设计中，它依然是无可替代的经典之选。其优异的FOM（品质因数）表现，让您在优化BOM成本的同时，无需在性能上做出任何让步。如果您正在寻找稳定可靠的货源进行备货或延续生产，我们的ST一级代理渠道能为您提供专业的供应链支持与技术服务。让这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，成为您产品在市场中保持强劲竞争力的秘密武器，助力您的设计从容应对能效挑战，赢得终端用户的持久信赖。

型号:STU27N3LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在寻找一颗能同时兼顾高效率与高可靠性的30V级功率开关吗？STU27N3LH5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET采用意法半导体先进的STripFET V技术，拥有仅20毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉、更快、更省电。

它能够轻松处理高达27A的连续电流，并支持4.5V的低压驱动，让您能更灵活地设计驱动电路。无论是提升DC-DC转换器的峰值效率，还是增强电机控制的响应速度与可靠性，STU27N3LH5都能以出色的性能，帮助您简化热管理设计，提升整体系统能效，是打造高效、紧凑型功率方案的理想核心器件。