STU3N45K3

当您需要一款能在严苛环境下稳定工作，同时兼顾高效能与成本控制的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STU3N45K3之中。这款N沟道MOSFET以其卓越的450V高耐压和优化的开关特性，正在重新定义中小功率应用的性能标杆，为您的设计注入前所未有的可靠性与效率。

想象一下，在您的开关电源、LED驱动或电机控制电路中，STU3N45K3正扮演着能量高效转换的核心角色。它那仅3.8欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的设备即使在长时间满负荷运行时也能保持“冷静”。极低的栅极电荷（Qg仅6nC）和输入电容，则确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于提升整体系统效率、实现更紧凑的磁性元件设计至关重要。无论是追求高功率密度的适配器，还是对电磁干扰有严格要求的消费类电子产品，它都能游刃有余。

选择STU3N45K3，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。它不仅仅是一个参数优秀的器件，更是意法半导体深厚技术积淀的体现。其坚固的I-PAK通孔封装提供了出色的散热能力和机械可靠性，27W的功率耗散能力让它在同类产品中脱颖而出。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，还有完整的技术支持、稳定的供货保障以及可靠的质量追溯体系。这意味着您可以更专注于核心创新，而将功率开关的挑战放心地交给STU3N45K3来解决，最终打造出性能更强劲、寿命更持久、市场竞争力更突出的终端产品。

• 型号:STU3N45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU3N45K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换效率不高、器件发热严重而烦恼吗？让STU3N45K3来为您分忧！这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，是专为高效开关应用而生的得力助手。

它拥有450V的高耐压和1.8A的连续电流能力，配合其超低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低您系统中的开关损耗和传导损耗。这意味着您的电源、LED驱动或电机控制应用将运行得更凉爽、更高效，轻松实现更高的功率密度和更优的能效表现。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠的性能保障。