STU3N62K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU3N62K3技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STU3N62K3，这颗N沟道功率MOSFET将以其高达620V的漏源电压和卓越的开关特性，彻底革新您的电源设计方案，为系统注入前所未有的活力与效率。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗芯片就能轻松驾驭高压环境，同时将导通损耗降至最低。STU3N62K3正是为此而生。它采用了先进的SuperMESH3技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至2.5欧姆，这意味着更少的能量以热的形式浪费，更多的能量被有效利用。其极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在高频下运行依然冷静、高效。无论是面对工业自动化中严苛的负载变化，还是消费电子中对尺寸和温升的苛刻要求，它都能游刃有余，提供稳定可靠的性能基石。

选择STU3N62K3，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅是一个参数优异的元器件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的战略伙伴。其通孔IPAK封装兼顾了优异的散热能力和便捷的装配工艺，高达150°C的结温工作范围赋予了设计者更大的余量，让您的产品无惧高温挑战，寿命更持久。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理至关重要，他们将确保这颗高性能芯片顺利集成到您的蓝图中，助您快速将创新构想转化为市场领先的产品。现在就拥抱STU3N62K3，开启能效新纪元，让每一次开关都成为价值的跃升！

型号:STU3N62K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的开关核心吗？STU3N62K3 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，拥有620V的坚固耐压和2.7A的连续电流能力，专为 demanding 的开关应用而生。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换效率大幅提升！其极低的导通电阻（2.5Ω）和栅极电荷（13nC）意味着更少的导通与开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统能效。无论是构建紧凑的AC-DC电源、驱动电机，还是设计高效的LED照明驱动，STU3N62K3都能让您轻松实现高性能、高可靠性的设计目标，助您的产品在市场中脱颖而出。