STU4N80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定与高效，同时又要严格控制成本与空间时，您是否曾为寻找一颗可靠的“心脏”而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STU4N80K5，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。其高达800V的漏源电压和3A的连续漏极电流，为您构建坚固的电气防线，确保系统在严苛工况下依然从容不迫。

想象一下，在开关电源、照明驱动或是电机控制等核心应用中，效率和可靠性就是生命线。STU4N80K5凭借其先进的SuperMESH5技术，将导通电阻（RdsOn）降至极低水平，这意味着更少的导通损耗和发热，直接转化为更高的整机效率和更长的使用寿命。无论是驱动LED灯条焕发持久光彩，还是确保适配器在满负荷下安静凉爽地工作，它都能出色完成任务。其快速的开关特性和低栅极电荷，让您的系统响应更迅捷，动态性能更优异。

选择STU4N80K5，就是选择了一份放心的保障与显著的价值提升。它拥有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适应从严寒到酷热的各类环境挑战。经典的IPAK（TO-251）通孔封装，兼顾了良好的散热能力与PCB布局的便利性。这颗芯片凝聚了ST意法半导体数十年的工艺精髓，品质历经市场严苛验证。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支援，我们的合作伙伴专业的ST代理将为您提供从样品到量产的全方位服务。立即采用STU4N80K5，让它成为您下一个成功产品的强大基石，轻松驾驭高压高效应用，赢得市场先机！

• 型号:STU4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU4N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让STU4N80K5为您带来焕然一新的解决方案！这颗基于SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，是ST意法半导体为您精心打造的高效能量开关。

它拥有800V的强悍耐压和3A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、LED驱动及电机控制中的高压环境。其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接提升产品能效与可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”。