STU5N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、同时保持优异开关性能的功率MOSFET，将为您的产品带来怎样的性能飞跃与成本优化？这正是STU5N60M2诞生的使命。它不仅仅是一个电子元件，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为应对中高功率应用的严苛挑战而精心打造。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便愈发清晰。无论是您正在设计的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，还是电机驱动、照明镇流器，STU5N60M2都能游刃有余。其600V的漏源电压和3.7A的连续漏极电流，为系统提供了坚固可靠的电压与电流屏障。更关键的是，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为系统整体效率的提升和温升的降低，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借优异的能效表现脱颖而出。

选择STU5N60M2，就是选择了一份经得起验证的卓越与稳定。它继承了ST意法半导体在功率半导体领域数十年的深厚积淀，MDmesh II Plus技术通过优化的单元结构，在相同的芯片面积上实现了更低的导通电阻（Rds(on)），这意味着更小的导通损耗和更高的功率密度。其高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。对于寻求可靠供应链和专业技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购，不仅能保障原装正品，还能获得及时的应用支持和选型指导。这颗采用坚固TO-251（IPAK）封装的芯片，正等待着为您的下一个创新设计注入强劲而高效的动力核心。

• 型号:STU5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU5N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否在寻找一颗能平衡性能、效率与成本的600V级功率开关？STU5N60M2正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体MDmesh II Plus系列的N沟道MOSFET，拥有3.7A的连续电流能力，其核心价值在于极低的1.4欧姆导通电阻（@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更令人惊喜的是，它具备极低的栅极电荷和输入电容，这意味着更快的开关速度和更简化的驱动电路设计，让您轻松提升系统频率和功率密度。高达150°C的结温工作能力和45W的功率处理能力，确保了其在严苛环境下的卓越可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力之心。