STU5N95K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STU5N95K3。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和SuperMESH3技术的卓越基因，为您的高压应用注入前所未有的活力与信心。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统复杂度的关键引擎。

想象一下，在开关电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或照明镇流器等严苛场景中，STU5N95K3如何大显身手。其超低的导通电阻（典型值）与优化的栅极电荷，意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的整体效率和更低的温升。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备即使在极端环境下也能持续可靠运行，大幅延长产品寿命并减少维护需求。选择它，就是为您的系统选择了一颗强劲而坚韧的“心脏”。

为何众多工程师将STU5N95K3作为高压设计的首选？答案在于其带来的综合价值飞跃。SuperMESH3技术实现了导通电阻与器件电容之间的完美平衡，这使得开关速度更快，电磁干扰（EMI）更易于管理，同时简化了驱动电路设计。高达4A的连续漏极电流承载能力和90W的功率耗散能力，让它在紧凑的I-PAK封装内提供了令人惊叹的功率密度。无论是升级现有方案还是开发全新平台，它都能帮助您缩短研发周期，加速产品上市。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们信赖的ST芯片代理伙伴随时准备为您服务。拥抱STU5N95K3，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一条通往更高能效、更强可靠性和更优成本效益的清晰路径，立即让它成为您下一个成功项目的基石吧！

• 型号:STU5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压电路中的效率损失和散热难题头疼吗？STU5N95K3正是为您而来的解决方案！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的超高耐压和仅3.5欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了优化的栅极电荷和输入电容特性，让您能轻松设计驱动电路，实现更快的开关速度和更低的电磁干扰。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的小型化需求，其稳健的性能和通孔封装都能提供可靠的保障。选择STU5N95K3，就是选择让您的设计脱颖而出，轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。