STU60N3LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU60N3LH5技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换设计中，您是否还在为寻找一款能在高电流下保持低损耗、同时具备出色热性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STU60N3LH5。这款来自意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，以其高达48A的连续漏极电流和仅为8.4毫欧的超低导通电阻，重新定义了30V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源单元中，STU60N3LH5正以其卓越的开关特性和低栅极电荷，实现着更快的频率响应和更低的开关损耗，让整个系统的转换效率轻松突破新高。在电动工具强劲的电机驱动电路里，它那高达175°C的结温工作能力和稳健的I-PAK封装，正从容应对着瞬间大电流冲击和严苛的散热环境，确保工具动力澎湃且持久耐用。无论是DC-DC转换器、同步整流，还是电池保护电路和低压电机控制，这颗芯片都能无缝融入，成为系统稳定运行的坚实基石。选择它，意味着您选择了一个久经考验、性能可靠的伙伴，尤其当您通过值得信赖的ST中国代理进行采购时，更能获得稳定的供货与专业的技术支持。

那么，在众多同类产品中，为何STU60N3LH5值得您特别关注？答案在于其精准平衡的性能组合。它采用先进的STripFET V技术，在5V和10V的驱动电压下均能实现优异的导通特性，这意味着您在设计驱动电路时拥有更大的灵活性，并能有效简化外围设计。极低的Qg和Ciss参数确保了快速的开关速度，显著降低了开关过程中的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。其通孔I-PAK封装不仅提供了优异的散热路径，也便于在需要高可靠性的工业级应用中进行焊接和装配。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的成功应用案例以及可能通过特定渠道获取的库存，使其依然是许多经典或长生命周期项目进行升级或维护时的优选方案，承载着将卓越性能转化为最终产品价值的使命。

型号:STU60N3LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STU60N3LH5正是为您而来！这颗采用意法半导体先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达48A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅8.4毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用，如电机驱动或电源转换中，它能大幅降低导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

它专为要求严苛的场合设计。极低的栅极电荷和输入电容让开关速度飞快，轻松提升您的电路工作频率和动态响应。同时，其坚固的I-PAK通孔封装和高达175°C的结温工作能力，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性和散热性能。选择STU60N3LH5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。