STU60N55F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU60N55F3技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时驾驭80A大电流和55V电压的开关，却拥有着令人惊叹的低导通电阻这正是STU60N55F3为您带来的核心价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET III技术的杰出代表，旨在将您的电源设计推向一个更高效、更可靠的境界。

这颗芯片天生就是为高功率密度应用而生的。无论是服务器电源中需要稳定高效的能量转换，还是工业电机驱动中要求快速响应和强劲动力，STU60N55F3都能轻松胜任。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能在严苛的环境下持续稳定运行，为您的设备提供坚实的保护。当您在设计DC-DC转换器、UPS系统或电焊机时，选择它，就是选择了更低的温升、更长的寿命和更小的系统体积。

为什么众多工程师在面临关键选型时会倾向于它？答案在于其卓越的性能平衡。8.5毫欧的超低导通电阻（在32A，10V条件下）直接转化为更少的导通损耗，让电能更高效地传递。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，有效降低了开关损耗。这种在导通与开关性能间的精妙权衡，让您的系统整体效率得以显著提升。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟可靠的设计和出色的性能记录，使其在特定存量项目和追求极致稳定性的设计中依然极具吸引力。如需获取此经典器件的库存或替代方案咨询，您可以联系专业的ST代理，他们能为您提供全面的技术支持与供应链服务。

从通孔安装的I-PAK封装带来的坚固物理特性，到±20V的宽栅极电压耐受范围所提供的设计灵活性，STU60N55F3的每一个细节都经过深思熟虑。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场信赖的强大助力。选择它，就是为您的下一个成功项目，注入一颗强劲而可靠的心脏。

型号:STU60N55F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住开关损耗的功率开关吗？STU60N55F3正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

凭借STripFET III先进技术，它在10V驱动下导通电阻低至8.5毫欧，能显著减少导通状态的能量损耗，直接提升系统整体效率。同时，优化的动态参数让开关过程快速而干净，进一步降低开关损耗。宽广的工作温度范围和坚固的I-PAK通孔封装，更能确保它在各种挑战性环境中稳定可靠地工作，让您的设计无后顾之忧。