STU6N95K5

当您的电源设计面临高压、高功率密度与高可靠性的三重挑战时，是否渴望一颗能同时驾驭性能与效率的“心脏”？答案就在STU6N95K5。这颗源自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和9A的连续电流能力，为您的高压应用注入澎湃而稳定的能量。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、缩小体积并增强耐用性的战略级组件。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器中，STU6N95K5正以其卓越表现大放异彩。其极低的导通电阻（典型值仅1.25欧姆@10V）意味着更小的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的设备在长时间满负荷运行时依然保持“冷静”。同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计轻松满足严苛的能效与安规标准。

选择STU6N95K5，就是选择了一份来自尖端技术与成熟工艺的双重保障。SuperMESH5技术赋予了它超强的雪崩耐量和坚固性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对各种恶劣环境。其通孔IPAK封装兼顾了优异的散热性能和便捷的装配工艺。为了让您更顺畅地获取这颗性能利器，我们作为值得信赖的ST中国代理，提供从选型支持到稳定供货的全链路服务。立即采用STU6N95K5，让它成为您下一代高性能电源和功率转换设计中，最可靠、最高效的动力核心。

• 型号:STU6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU6N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STU6N95K5为您带来变革！这颗950V/9A的N沟道MOSFET，采用先进的SuperMESH5技术，能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的系统能效，并减少散热设计压力。

它拥有优异的动态特性，让您的电源或电机驱动实现更快速、更干净的开关，从而简化电路设计，提升功率密度。其坚固的构造和宽泛的工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定运行，让您轻松构建高可靠性的工业级或消费级产品。