STU7N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，您是否还在为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出STU7N60M2，这颗基于意法半导体革命性MDmesh II Plus技术的N沟道功率MOSFET，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STU7N60M2正以其600V的坚固耐压和5A的连续电流处理能力，稳定地承担着能量转换的核心任务。其超低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让您的系统即使在高温高负荷下也能保持冷静、高效运行。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业电机驱动中的辅助开关，它都能轻松融入，成为可靠的能量枢纽。

选择STU7N60M2，就是选择了一份来自尖端技术的保障。MDmesh II Plus技术带来了卓越的开关性能与雪崩耐量的完美平衡，确保在复杂的电磁环境中依然稳定可靠。其通孔I-PAK封装不仅提供了优异的散热路径，也便于在传统PCB板上进行坚固的焊接安装。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能够从容应对各种严苛环境。当您需要稳定、高效且具成本效益的功率解决方案时，STU7N60M2无疑是您的理想之选。我们作为值得信赖的ST芯片代理，随时准备为您提供从选型到供应的全方位支持，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STU7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU7N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的600V级功率开关吗？STU7N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计更高效、更紧凑。

它拥有600V的漏源电压和5A的连续电流能力，配合低至950毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升整体能效。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更快、更干净，从而减少发热，让您的系统运行更凉爽、更稳定。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，它都能让您轻松应对各种中功率应用挑战。