STU7N80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和尺寸时，您是否感到选择变得困难？这正是STU7N80K5诞生的意义。作为ST意法半导体SuperMESH5家族的明星成员，这颗800V耐压的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了中功率应用的效率标准。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器的核心电路中，STU7N800K5正发挥着它的强大威力。其高达800V的漏源击穿电压，让您的设备在面对电网波动或感性负载反冲电压时稳如泰山，极大地提升了系统的可靠性和寿命。而仅1.2欧姆的超低导通电阻（在10V驱动、3A条件下），意味着在导通期间的能量损耗被降至极低，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择这颗芯片的理由远不止于此。它继承了SuperMESH5技术的精髓，在开关速度和导通损耗之间取得了完美平衡。极低的栅极电荷（Qg仅13.4nC）和输入电容，使得驱动它变得异常轻松，不仅降低了对驱动电路的要求，还显著提升了开关频率，让您能够使用更小、更轻的磁性元件，从而优化整个电源系统的体积与成本。其坚固的I-PAK通孔封装，确保了出色的散热能力和机械可靠性，即使在-55°C至150°C的严苛结温范围内也能持续稳定工作。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STU7N80K5成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效与可靠的新篇章。

• 型号:STU7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为寻找一颗能在高压下高效开关、同时兼顾可靠性与成本的功率器件而烦恼吗？STU7N80K5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6A的连续电流能力，专为要求苛刻的功率转换场景而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。凭借先进的SuperMESH5技术，它实现了极低的导通电阻和栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统效率，并减少散热设计压力。无论是用于开关电源、电机控制还是照明驱动，它都能让您的产品运行更凉爽、更高效、更可靠。

选择STU7N80K5，就是选择了一份从容。其宽泛的工作温度范围和稳健的I-PAK封装，确保它在各种环境下都能稳定发挥。您将轻松获得更高的功率密度、更简化的电路设计以及更具市场竞争力的终端产品。