STU85N3LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU85N3LH5技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能显著降低导通电阻、提升系统整体能效的解决方案，将如何为您的产品注入强大竞争力？今天，我们为您带来的STU85N3LH5，正是这样一款能够改写性能规则的高性能N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品力、赢得市场的关键引擎。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET V技术平台，这款芯片在30V的电压等级下，能够持续承载高达80A的强大电流。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅需5.4毫欧，这意味着在相同的电流通过时，它能将能量损耗降至极低，把更多的电能转化为有效的输出功率，而非令人头疼的热量。无论是面对高频开关的严苛要求，还是持续大电流的稳定运行，它都能游刃有余，确保系统运行更凉爽、更可靠。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供全方位的服务。

它的身影活跃于众多需要高效功率管理的场景。在服务器电源和通信设备电源中，它助力实现更高功率密度和更优的能效比；在电动工具和无人机的电机驱动部分，它提供强劲而迅捷的功率开关，让动力响应瞬间爆发；在汽车领域的辅助系统，如风扇控制或LED驱动，它同样能确保高效稳定的能量传输。其高达175°C的结温工作能力和通孔I-PAK封装，赋予了它卓越的散热性能和坚固的物理可靠性，足以应对工业环境中的振动与温变挑战。

选择STU85N3LH5，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺。它让您的设计摆脱效率瓶颈，以更少的散热投入获得更大的功率输出空间，从而简化系统结构，降低整体成本。虽然其零件状态已标注为停产，但对于许多成熟、稳定且追求长期可靠性的应用设计而言，它依然是经过千锤百炼的经典之选。将这颗高效能芯片融入您的下一个项目，您收获的将不仅是参数的提升，更是产品在市场终端脱颖而出的底气与信心。

型号:STU85N3LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持超低损耗的功率开关吗？STU85N3LH5正是为您而生的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心价值在于惊人的5.4毫欧超低导通电阻，能极大减少导通状态下的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它让您轻松驾驭电机驱动、电源转换等高要求应用。仅需5V至10V的标准驱动电压即可高效开启，配合极低的栅极电荷，确保了快速开关响应，减少开关损耗。高达175°C的工作结温和坚固的I-PAK通孔封装，赋予了它卓越的散热能力和物理可靠性，让您的设计在严苛环境下也能稳定运行，无后顾之忧。