STU8N65M5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STU8N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，以其650V的高耐压和7A的连续漏极电流能力，为您的设计注入强劲动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、降低运行成本的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明应用中，系统需要在高压下稳定高效地工作。STU8N65M5正是为此而生。其核心价值在于MDmesh V技术的加持，这项技术通过优化的单元结构和先进的工艺，显著降低了导通电阻和栅极电荷。这意味着在相同的工况下，芯片自身的损耗更小，产生的热量更少，从而让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是应对频繁的开关动作，还是承受持续的电流负载，它都能游刃有余，确保系统核心的稳定与可靠。

选择STU8N65M5，就是选择了一份经得起考验的卓越性能。其高达70W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，赋予了产品强大的过载能力和环境适应性，让您的设计无惧严苛挑战。同时，通孔IPAK封装兼顾了安装便利性与良好的散热路径。虽然该型号已停产，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取可靠的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定与安全。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您打造下一代高性能、高可靠性电源产品的坚实基石。

• 型号:STU8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU8N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能在高压应用中担当重任、同时保持高效与可靠的核心功率开关吗？STU8N65M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和7A的连续电流能力，专为要求严苛的电源转换和电机控制场景设计。

它采用了ST先进的MDmesh V技术，能够显著降低导通电阻和栅极电荷，从而大幅减少开关损耗和导通损耗。这意味着它能帮助您的系统轻松实现更高的能效，运行温度更低，整体可靠性更强。其坚固的IPAK通孔封装和宽泛的工作温度范围，让您能够从容应对各种复杂的应用环境，高效构建稳定而强大的电力核心。