STU9N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU9N60M2技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够显著提升系统表现的关键元件STU9N60M2。这款来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和优化的动态特性，正在重新定义中功率应用的性能标准。它不仅是一颗晶体管，更是您实现高效能量转换、构建稳定可靠系统的坚实基石。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STU9N60M2能够轻松应对严苛的工作环境。其780毫欧的低导通电阻（在3A，10V条件下）意味着更低的传导损耗，而仅10nC的低栅极电荷则确保了极快的开关速度和更低的驱动损耗。这两者的结合，直接转化为更低的整体功耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、寿命更长久。无论是面对工业自动化中频繁启停的电机，还是需要持续稳定输出的LED驱动，它都能游刃有余。

选择STU9N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。MDmesh II Plus技术专为降低开关损耗而优化，即使在高达150°C的结温下也能保持稳定的性能。其TO-251（IPAK）封装提供了良好的功率处理能力（60W）和便捷的通孔安装方式，兼顾了性能与生产便利性。当您需要可靠的原厂供应链支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，能确保您获得正品保障和及时的技术服务。让这颗集高效、坚固、可靠于一身的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏。

型号:STU9N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在寻找那颗能平衡性能、效率与成本的功率开关吗？STU9N60M2正是为您的中功率应用量身打造的解决方案。它基于先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的漏源击穿电压和5.5A的连续漏极电流能力，让您在设计开关电源、PFC电路或电机驱动时底气十足。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行得更“轻松”。其低至780毫欧的导通电阻显著降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（10nC）和输入电容则大幅减少了开关损耗。这意味着更少的能量以热量的形式浪费掉，从而让您的终端产品能效更高、温升更低、可靠性更强。无论是提升现有设计的性能，还是开发新一代高效能产品，STU9N60M2都能助您一臂之力。