STV250N55F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STV250N55F3技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当系统需要处理高达200A的电流时，每一个毫欧的导通电阻都意味着显著的功率浪费和热量堆积。现在，这一切有了更优解。我们隆重推出意法半导体STripFET III技术下的高性能代表STV250N55F3，这颗N沟道功率MOSFET以其仅为2.2毫欧的超低导通电阻，重新定义了55V电压等级下的效率标杆，让您的电源设计在起跑线上就赢得先机。

想象一下，在服务器电源、高性能通信设备或工业电机驱动的核心电路中，STV250N55F3能够轻松驾驭200A的连续电流，将更多的电能高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。其卓越的开关特性与低栅极电荷，使得高频开关应用中的损耗大幅降低，系统整体能效得以显著提升。无论是面对严苛的工业环境温度，还是追求紧凑空间布局的表面贴装需求，它都能凭借坚固的10-PowerSO封装和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，提供稳定可靠的性能保障。

选择STV250N55F3，不仅仅是选择了一颗参数出色的芯片，更是选择了一种面向高效未来的技术承诺。它继承了意法半导体在功率器件领域的深厚积淀，虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和经过市场验证的可靠性，使其在特定升级或备货项目中依然极具价值。为了确保您能获得原装正品与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理渠道进行咨询与采购。让STV250N55F3成为您提升产品竞争力、降低系统运营成本的秘密武器，开启能效新篇章。

型号:STV250N55F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:10-PowerSO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:10-PowerSO
封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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还在为高电流应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找突破口吗？STV250N55F3正是为您而来的解决方案。这颗基于先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的2.2毫欧超低导通电阻，能轻松处理高达200A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源模块、电机驱动或功率转换系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。高达300W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保其在恶劣环境下依然稳定可靠。同时，优化的栅极电荷特性助力实现更快的开关速度，进一步提升整体能效。选择STV250N55F3，就是为您的核心电路注入一股强劲而高效的动力源泉。