STV300NH02L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STV300NH02L技术参数详情：

想象一下，在您的下一代高密度电源或电机驱动设计中，如何才能在有限的空间内实现更高的功率密度和更低的损耗？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率开关器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET III家族中的明星产品STV300NH02L。它不仅仅是一个参数表上的数字，更是您突破效率瓶颈、实现设计飞跃的关键引擎。

这颗N沟道MOSFET拥有高达200A的连续漏极电流承载能力和仅24V的漏源电压，专为要求严苛的高电流、低电压应用场景而生。无论是服务器和数据中心的冗余电源（ORing）、负载点（POL）转换器，还是电动工具、无人机电调、汽车辅助系统中的电机驱动，STV300NH02L都能游刃有余。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、80A电流下，Rds(On)最大值仅为1毫欧。这意味着在频繁开关和大电流通过时，芯片自身的功耗被降至极低，更多的电能被高效地输送给负载，而不是以热量的形式白白浪费。这不仅提升了整体系统效率，还显著降低了散热设计的复杂度和成本，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STV300NH02L，就是选择了一份可靠与高效的保障。它采用先进的10-PowerSO封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了优异的空间利用率，非常适合现代紧凑型电子设备。高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了其在恶劣环境下的稳定性和长寿命。此外，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路设计更为简单，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，可以随时联系我们的授权ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STV300NH02L，让它成为您高性能设计中那颗最强劲、最冷静的“心脏”，驱动您的产品迈向更高峰。

型号:STV300NH02L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:10-PowerSO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:10-PowerSO
封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和易驱动的功率MOSFET而烦恼吗？STV300NH02L正是为您量身打造的解决方案。这颗来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，拥有200A的强大电流处理能力和低至1毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，让电能转换效率大幅提升。

它让您轻松应对高密度电源、电机驱动等应用的严苛要求。其优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速干净的开关特性，简化您的驱动设计。采用紧凑的10-PowerSO封装，帮助您在有限空间内实现更高的功率密度。选择STV300NH02L，就是选择高效、可靠与卓越性能的完美结合。