STW120NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW120NF10技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？想象一下，一款能在100V电压下稳定承载110A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的10.5毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET II家族的明星产品STW120NF10，它正是为终结这种妥协而生。

当您将它应用于服务器电源或工业电机驱动时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为更少的能量以热量形式耗散，这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，同时显著降低散热设计的复杂性与成本。在电动汽车的OBC（车载充电机）或DC-DC转换器中，STW120NF10凭借高达312W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，能够轻松应对严苛的车规环境挑战，确保动力系统在任何工况下都稳定高效。而对于不断电系统(UPS)和焊接设备而言，其快速的开关特性和卓越的稳健性，是保障输出纯净、响应迅捷的关键所在。

选择STW120NF10，您选择的不仅是一颗高性能N沟道MOSFET，更是一份来自意法半导体的品质承诺。其经典的TO-247-3封装，兼顾了出色的功率密度与成熟的安装工艺，让您的生产集成轻松无忧。我们深知，一颗优秀芯片的背后，离不开可靠的技术支持与供应链保障。为此，我们推荐您通过专业的ST芯片代理进行采购，他们将为您提供从选型指导到库存保障的全方位服务，让您的创新之旅再无后顾之忧。让STW120NF10成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

型号:STW120NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:312W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？STW120NF10就是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和高达110A的连续漏极电流，而其核心魅力在于仅10.5毫欧的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的导通损耗，直接为您提升系统整体能效。

它内置的先进STripFET II技术，配合优化的栅极电荷（Qg仅233nC），让开关动作既快速又干净，显著减少开关损耗。无论是用于构建高效的同步整流电路，还是驱动 demanding 的电机负载，它都能让您的设计运行得更凉爽、更安静。高达312W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，更赋予了它应对工业级严酷考验的底气，确保您的产品稳定可靠，性能持久如一。