STW12NK95Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW12NK95Z技术参数详情：

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受极端电压又能保持高效稳定的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族的明星产品STW12NK95Z。这颗强大的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚固的防线。它不仅仅是一个元器件，更是您提升系统可靠性、简化设计复杂度的关键伙伴。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源、不间断电源（UPS）乃至新能源逆变器等核心系统中，电压尖峰和热应力是常态。STW12NK95Z正是为此而生。其卓越的SuperMESH技术，在900毫欧的超低导通电阻下，实现了极低的传导损耗，这意味着在相同功率下，您的设备发热更少，效率更高，寿命更长。无论是应对工业环境的剧烈波动，还是满足对能效日益严苛的标准，它都能游刃有余，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择STW12NK95Z，就是选择了一份安心与高效。其高达230W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在最恶劣的条件下也能稳定运行。经典的TO-247-3封装提供了出色的散热能力，让您的热管理设计更加轻松。虽然该型号已进入停产状态，但通过与可靠的ST一级代理合作，您依然可以获得稳定的供货渠道和全面的技术支持，确保您的生产计划不受影响，并有机会探索其升级替代方案，为未来布局。

型号:STW12NK95Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:230W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起高压大梁、让电源系统坚如磐石的功率开关吗？STW12NK95Z正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的950V耐压和10A电流处理能力，专为应对严苛的高压环境而设计。

它采用先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（仅900毫欧@5A,10V），能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，其优化的栅极电荷和输入电容，让驱动设计更简单，开关速度更快。无论是用于工业电源、电机驱动还是逆变器，它都能让您轻松实现高效、可靠且紧凑的功率转换解决方案。