STW15NB50

当您需要一款能在高压环境下稳定输出强劲动力的功率器件时，是否曾为寻找兼具高性能与高可靠性的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体PowerMESH家族的明星产品STW15NB50。这颗N沟道MOSFET以其卓越的500V高耐压和14.6A的连续漏极电流能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、保障长期稳定运行的信心之选。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、高效开关电源(SMPS)乃至电焊机等严苛的应用场景中，系统需要频繁应对高电压、大电流的冲击。STW15NB50正是为此而生。其TO-247-3的经典封装确保了出色的散热能力，配合高达190W的功率耗散，让设备即使在持续高负荷或环境温度挑战下也能游刃有余。其极低的导通电阻（最大360毫欧）意味着更小的导通损耗，直接转化为更高的能效和更低的温升，帮助您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，同时显著降低散热设计的复杂度和成本。

选择STW15NB50，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。PowerMESH先进技术带来了优异的开关特性和坚固性，而±30V的宽泛栅极电压范围则提供了更强的驱动灵活性。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的市场验证以及充足的库存支持，使其依然是许多经典和升级设计的可靠基石。为确保您获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗久经考验的功率芯片，成为您打造高效、耐用、高性能电力电子系统的坚实后盾，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STW15NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW15NB50，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让STW15NB50来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和14.6A的强大电流处理能力，专为 demanding 的功率转换任务而设计。

它采用先进的PowerMESH技术，实现了极低的导通电阻（仅360毫欧），能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。高达190W的耗散功率和TO-247封装，确保了出色的散热性能，轻松应对持续高负荷工作。无论是提升能效还是增强系统鲁棒性，它都是您的理想选择。