STW18NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STW18NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的耐压能力和13A的连续漏极电流，正成为工业电源、电机驱动和照明系统等领域升级换代的理想心脏。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的关键赋能者。

想象一下，在您的服务器电源或UPS不间断电源中，STW18NM60N能够以极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）高效工作，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体能效得以显著提升，让您的设备在严苛环境下依然保持冷静与稳定。而在变频器或电机控制应用中，其快速的开关特性和坚固的TO-247封装，确保了驱动响应迅捷且经久耐用，直接转化为更平滑的电机运行和更长的设备寿命，为用户带来实实在在的价值体验。

选择STW18NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它隶属于ST成熟的MDmesh II产品家族，这一技术专为优化开关性能而生，在相同的硅片面积下实现了更优的导通电阻与栅极电荷平衡。这使得您的设计无需在效率与速度之间艰难妥协。无论是面对-55°C到150°C的宽广工作温度挑战，还是需要应对复杂的电磁环境，它都展现出卓越的鲁棒性。为了让您更便捷地获得这款优质芯片及其全面的技术支持，我们推荐您通过值得信赖的ST一级代理进行采购，确保产品来源正宗、供应稳定，让您的创新之旅全程无忧。

• 型号:STW18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW18NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的高压开关管吗？STW18NM60N正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和13A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh II技术让它在导通损耗和开关速度之间取得了完美平衡，能显著降低您电源或电机驱动方案中的能量损耗，提升整体系统能效。

它能让您的设计工作变得异常轻松。极低的栅极电荷和输入电容意味着它非常容易被驱动，简化了您的驱动电路设计；而高达110W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），则赋予了它应对各种恶劣环境的资本，确保您的产品长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗高效而强健的‘心脏’。