STW19NM65N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW19NM65N技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为高压、大电流应用下的开关损耗与散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW19NM65N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的耐压和15.5A的连续电流能力，专为应对严苛挑战而生，是您提升产品性能与市场竞争力的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心功率电路中，每一次开关都关乎着整体系统的效率与稳定。STW19NM65N凭借其先进的MDmesh II技术平台，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关特性。这意味着更少的能量以热的形式耗散，更高的功率密度得以实现，让您的设备运行得更凉爽、更持久。其TO-247-3封装提供了优秀的散热路径，结合高达150W的功率耗散能力，确保即使在高温环境下也能稳定工作，为您的设计注入强大的可靠性基因。

选择STW19NM65N，不仅仅是选择了一颗高性能的晶体管。您将获得一个经过优化、久经考验的功率开关核心，它能显著简化您的热管理设计，降低系统整体复杂度，从而加速产品上市进程。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和高可靠性要求的升级设计中依然极具价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。让这颗经典的功率器件，继续为您的创新赋能，在激烈的市场竞争中构筑坚实的技术壁垒。

型号:STW19NM65N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STW19NM65N正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和15.5A的强大电流处理能力，其核心的MDmesh II技术让导通电阻低至优异水平，能显著降低开关损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它让您轻松应对高达150W的功率耗散，结合TO-247-3封装卓越的散热性能，确保系统在高负荷下依然稳定可靠。无论是优化现有设计还是为高要求应用选型，STW19NM65N都能以其出色的电气特性，帮助您构建更高效、更紧凑、更耐用的电力电子解决方案。