STW20N60M2-EP

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为功率器件的损耗与散热问题而烦恼？想象一下，当您的电源设计需要同时驾驭600V高压与13A电流时，一颗兼具低导通损耗与卓越开关性能的MOSFET，将是决定系统成败的关键。现在，答案就在眼前STW20N60M2-EP，它正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生的高性能解决方案。

这款来自意法半导体MDmesh M2-EP家族的明星产品，绝非普通的功率开关。它采用了先进的超结技术，将278毫欧的超低导通电阻与仅为21.7nC的极低栅极电荷完美结合。这意味着在您的高频开关电源或电机驱动应用中，它能大幅减少导通和开关过程中的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是服务器电源、工业变频器，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STW20N60M2-EP都能游刃有余地应对严苛的功率处理需求，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性和能效表现脱颖而出。

选择STW20N60M2-EP，就是选择了一份从容与信心。其宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定运行，大大提升了系统的鲁棒性。经典的TO-247封装不仅提供了优异的散热能力，支持高达110W的功率耗散，也使其易于在现有设计中集成和替换。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾。别再让功率损耗限制您的设计想象力，立即采用STW20N60M2-EP，它将化身为您系统中高效、可靠的能量核心，助您轻松驾驭高功率挑战，打造出更节能、更耐用的下一代电力电子产品。

• 制造商产品型号：STW20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：278 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：787pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 现在可以订购STW20N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流应用的效率提升而绞尽脑汁吗？STW20N60M2-EP就是您期待已久的强力引擎。这颗N沟道功率MOSFET，凭借意法半导体领先的MDmesh M2-EP技术，为您带来278毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有600V的漏源电压和13A的连续电流处理能力，轻松应对严苛的功率场景。无论是提升工业变频器的输出稳定性，还是优化太阳能逆变器的能量转换效率，它都能让您的设计性能跃升一个新台阶。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围，更确保了产品在各类环境下的长期可靠运行。