STW20N65M5

在追求更高能效与可靠性的功率转换设计中，工程师们是否常常面临开关损耗与系统稳定性难以兼得的困境？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW20N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和高达18A的连续漏极电流，为您的设计注入强大而稳定的心脏。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，系统需要在高压下频繁切换并承载大电流。STW20N65M5正是为此类严苛应用而生。其TO-247封装确保了出色的散热能力，配合130W的最大功率耗散，让设备即使在-55°C至150°C的宽温范围内也能稳定运行，无惧环境挑战。这意味着您的电源产品可以更紧凑、更安静，同时保持长久的使用寿命，为用户带来实实在在的价值。

选择STW20N65M5，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的性能平衡。其MDmesh V技术显著优化了导通电阻与栅极电荷的权衡，在10V驱动电压下，导通电阻低至190毫欧，而栅极电荷仅45nC。这种特性直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，让您的系统整体效率轻松攀升。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在存量市场和高可靠性要求项目中依然极具吸引力。如需获取此类经典且高性能的器件，联系一家可靠的ST芯片代理是确保货源与技术支持的关键一步。让STW20N65M5成为您经典设计中不可动摇的基石，助力您的产品在效能与可靠性的道路上始终领先一步。

• 型号:STW20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW20N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与低温运行的功率开关吗？STW20N65M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和18A的强大电流通过能力，基于ST先进的MDmesh V技术打造，能显著降低开关过程中的能量损耗。

它能让您的电源转换或电机驱动设计事半功倍。其优化的190毫欧导通电阻帮助减少传导发热，而仅45nC的低栅极电荷则让开关动作更快、更干净，从而轻松提升系统整体能效。采用坚固的TO-247通孔封装，确保出色的散热性能，让您的设备在严苛环境下也能稳定持久地工作。