STW21N150K5

在追求极致能效与可靠性的高功率应用中，您是否仍在为开关损耗、散热设计和系统稳定性而反复权衡？现在，答案已经揭晓。凭借高达1500V的惊人漏源电压和仅为900毫欧的低导通电阻，STW21N150K5这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，正重新定义高压开关的性能标杆。它不仅仅是参数的堆砌，更是将MDmesh K5这一先进技术平台的精髓，转化为您产品实实在在的竞争力与市场优势。

想象一下，在太阳能逆变器的核心电路中，它如何以极高的效率处理不稳定的直流输入，将每一缕阳光的能量最大化地转化为稳定交流电；在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，它又如何凭借卓越的开关特性与坚固性，确保关键动力与数据永不中断。面对严苛的工业环境与复杂的电磁干扰，STW21N150K5的宽工作温度范围（-55°C至150°C）和高达446W的功率耗散能力，为您提供了从容应对的底气，让系统设计从如履薄冰变为胸有成竹。

选择它，意味着您选择了一个经过市场验证的可靠伙伴。TO-247的经典封装不仅保证了优异的散热路径，也简化了生产与维护。其极低的栅极电荷（仅89nC）与优化的输入电容，让驱动电路设计更为轻松，显著降低了开关损耗，从而在整体系统层面实现更高的能效。这直接转化为更低的运营成本、更小的散热器体积以及更长的产品寿命。当您需要获得原厂级的技术支持与稳定的供货保障时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您从选型到量产的每一步保驾护航。让STW21N150K5成为您下一代高可靠性电源与能源转换设计的强大心脏，开启高效、稳健的新篇章。

• 型号:STW21N150K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3145 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW21N150K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭1500V高压平台，同时保持高效与低温运行的功率开关吗？STW21N150K5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET基于ST先进的MDmesh K5技术，不仅拥有14A的连续电流能力，更将导通电阻降至惊人的900毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让您的电源或电机驱动系统跑得更快、更凉、更持久。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让驱动设计变得异常简单，帮助您大幅削减开关损耗。结合TO-247封装带来的强大散热能力，它能稳定工作在严酷的环境下，确保系统长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且值得信赖的“功率之心”。