STW21N90K5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STW21N90K5。作为意法半导体SuperMESH5家族的明星成员，它不仅仅是一个900V的功率MOSFET，更是您实现系统性能飞跃的关键引擎。其革命性的低导通电阻与超快开关特性，能将能量损耗降至前所未有的低点，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效表现脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，稳定与可靠是生命线。STW21N90K5凭借其高达900V的击穿电压和18.5A的连续电流能力，轻松应对电压尖峰和持续大电流的考验。其卓越的热性能（250W功率耗散）与宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了即使在最恶劣的环境下也能稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和平均无故障时间，让您的设计无惧挑战。

选择STW21N90K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的SuperMESH5技术，意味着更低的栅极电荷和输入电容，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率显著提升。无论是为了简化散热设计、缩小产品体积，还是为了追求极致的能源之星认证，这颗芯片都是您的不二之选。我们作为专业的ST芯片代理，不仅能为您提供稳定可靠的货源，更能提供深度的技术支持和选型指导，助您将这颗高性能芯片的价值发挥到极致，快速赢得市场先机。

• 型号:STW21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW21N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高电压应用中的开关损耗和温升问题烦恼吗？STW21N90K5正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的SuperMESH5技术，在900V的高压下，导通电阻（RdsOn）低至惊人的299毫欧，同时栅极电荷（Qg）也得到优化。这意味着它能显著降低导通和开关过程中的能量损失，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗强大的N沟道MOSFET，能轻松承载18.5A的连续电流，并拥有高达250W的功率处理能力。它让您在设计大功率转换器、PFC电路或逆变器时，可以更加从容地应对高功率密度挑战。其坚固的TO-247封装和宽泛的工作温度范围，确保了卓越的可靠性和长寿命，是您打造高性能、高可靠性产品的理想基石。