STW21NM50N

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为如何平衡高性能与系统成本而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍STW21NM50N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正是您构建高效、坚固电力系统的理想基石。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键武器。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，需要承受高电压、大电流的严苛考验。STW21NM50N凭借其500V的漏源电压和18A的连续漏极电流能力，如同一位沉稳的守护者，确保系统在高压环境下稳定运行，游刃有余。其TO-247-3的经典封装，不仅提供了卓越的散热性能，支持高达140W的功率耗散，更以其通孔安装的可靠性，赢得了工程师们长久的信赖。当系统温度攀升，它依然能坚守岗位，最高结温可达150°C，这份耐受力让您的设计从容应对各种挑战。

为何在众多选择中，STW21NM50N能脱颖而出？其核心秘密在于MDmesh II技术带来的超低导通损耗。在10V驱动电压下，导通电阻低至190毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，让开关电源工作得更快、更凉爽。无论是提升现有方案的能效等级，还是为新一代高密度设计铺平道路，这颗芯片都能提供坚实的性能保障。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。若您需要稳定可靠的货源与技术支持，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供全方位的服务。

• 型号:STW21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW21NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起高压大电流重任，同时保持高效冷静的“核心引擎”吗？STW21NM50N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V/18A的强悍规格，旨在让您的电源转换和电机驱动应用突破能效瓶颈。

它通过低至190毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接为您节省能源成本，提升系统整体效率。优化的动态特性助力实现更快的开关速度与更低的发热，让您的设备运行更稳定、更持久。选择它，就是为您的产品注入高效可靠的动力核心。