STW240N10F7

当您的电源系统或电机驱动设计面临效率瓶颈，您是否在寻找一款能同时兼顾高功率密度与卓越热性能的解决方案？今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET F7系列中的明星产品STW240N10F7。这款N沟道功率MOSFET以其100V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流能力，为您的高功率应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或新能源逆变器等严苛的应用场景中，STW240N10F7正发挥着核心作用。它极低的导通电阻（典型值仅3毫欧）意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效转化为输出功率，直接降低了系统的运行成本和散热需求。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关电源实现更高效率至关重要，也让电机驱动控制更加精准、响应更迅速。

选择STW240N10F7，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其TO-247封装提供了优异的功率耗散能力（高达300W），结合宽达-55°C至175°C的结温工作范围，赋予了产品无与伦比的可靠性与环境适应性。无论您的系统面临怎样的热挑战或严酷工况，它都能稳定运行，延长设备寿命。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取高质量的库存或找到完美的替代升级方案，确保您的生产与研发计划不受影响。让STW240N10F7成为您下一代高性能设计的基石，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:STW240N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW240N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STW240N10F7正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体STripFET F7系列的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和180A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的3毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、大功率转换器等应用。优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速干净的开关性能，帮助您提升开关频率，缩小磁性元件体积，从而实现更高功率密度的设计。其坚固的TO-247封装和300W的功率耗散能力，为您提供了应对热管理的充裕空间，确保系统在苛刻环境下依然稳定可靠。