STW24N60M2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否仍在为开关损耗、散热设计和高电压应力而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STW24N60M2。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。想象一下，将高达600V的电压和18A的电流掌控于方寸之间，同时将导通电阻降至惊人的190毫欧，这意味着更低的传导损耗、更高的系统效率以及更清凉的运行温度，为您的产品注入强劲而高效的“心脏”。

无论是服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器，还是不断进化的电动汽车充电桩，STW24N60M2都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，让您轻松实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本和尺寸。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，配合TO-247封装卓越的散热能力，它赋予了设备无与伦比的环境适应性与长期运行可靠性，让您的设计从容应对各种极端工况。

选择STW24N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。它代表了在功率密度、能效和可靠性之间取得的完美平衡。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系您信赖的ST芯片代理。他们将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放，助您在激烈的市场竞争中率先抵达终点，赢得先机。

• 型号:STW24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW24N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时驾驭高电压、大电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？STW24N60M2正是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，集600V耐压、18A电流承载能力与低至190毫欧的导通电阻于一身，能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

这颗芯片的卓越之处在于其动态性能。优化的栅极电荷和电容参数让开关过程更快、更干净，这不仅减少了开关损耗，还让您能够轻松采用更高频率的设计，从而使用更小、更经济的电感和变压器。其坚固的TO-247封装和宽工作温度范围，确保了在高功率应用中的长期稳定性和出色的散热表现，让您的产品设计更可靠、更耐用。