STW24NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题所困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STW24NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，为您的高压应用注入强劲而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关器件，更是提升系统整体性能、降低运营成本的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都关乎着效率与稳定。STW24NM60N凭借其先进的MDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的190毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在高效与凉爽中平稳运行，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境挑战。

选择STW24NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它坚固的TO-247封装能够有效散热，支持高达125W的功率耗散，为您的设计提供了充足的可靠性裕度。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目或对经典稳定方案有需求的客户的理想之选。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让STW24NM60N成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW24NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STW24NM60N正是为您而来！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和17A的强大电流处理能力，其超低的190毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷与输入电容）让开关速度更快，损耗更低，轻松提升整体能效。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求极致的能源利用，STW24NM60N都能以高达125W的散热能力和宽泛的工作温度范围，为您提供稳定可靠的核心开关解决方案，助您轻松构建高性能的电力电子设备。