STW26N65DM2

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品STW26N65DM2。这颗650V、20A的N沟道功率MOSFET，以其革命性的超低导通电阻和卓越的开关性能，正重新定义高效功率管理的标准，为您的下一代设计注入澎湃动力与非凡可靠性。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，能量转换的每一瞬间都至关重要。STW26N65DM2正是为此类严苛应用而生。其MDmesh DM2专利技术，在单颗TO-247封装的器件内实现了惊人的190毫欧超低导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同电流下，导通损耗被大幅削减，系统整体效率得以显著提升。更低的损耗直接转化为更少的热量，让您的设备运行更凉爽、寿命更长久，即使在-55°C至150°C的宽广结温范围内也能稳定工作。

选择STW26N65DM2，您选择的不仅仅是一颗高性能MOSFET，更是一套经过市场验证的能效解决方案。其优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，确保了快速、干净的开关行为，能有效降低电磁干扰（EMI），简化您的驱动电路设计。高达170W的功率耗散能力，为您应对功率峰值提供了充足的安全余量。无论是追求功率密度的提升，还是系统长期可靠性的保障，它都能成为您设计中值得信赖的基石。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的ST芯片代理团队随时准备为您服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STW26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW26N65DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STW26N65DM2正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和20A的连续电流能力，其核心价值在于将导通电阻降至仅190毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费级产品的能效标杆，STW26N65DM2都能以稳定的性能和TO-247封装带来的强大散热能力，为您的产品保驾护航，助您轻松赢得市场先机。