STW26NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW26NM60N技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与20A大电流的功率开关，其导通电阻低至165毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。这就是STW26NM60N为您带来的核心价值它基于意法半导体引以为傲的MDmesh II技术，专为应对严苛的高压、高频应用而生，让能量转换过程前所未有的顺畅与高效。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STW26NM60N都能成为您系统的心脏，强劲而稳定地搏动。其卓越的快速开关特性与极低的栅极电荷（仅60nC），意味着在高频开关电源中，它能显著降低驱动损耗和开关噪声，让您的产品不仅效率更高，电磁兼容性(EMC)表现也更为出色。面对复杂的工业环境，其高达150°C的结温工作能力和TO-247-3封装提供的强大散热潜力，确保了系统即使在持续高负载下也能稳定运行，大幅提升了产品的耐用性和市场竞争力。

选择STW26NM60N，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、缩短开发周期的战略伙伴。其优化的参数平衡在低导通电阻与快速开关之间取得了完美权衡，让您无需在效率与速度之间再做艰难抉择。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STW26NM60N，让它成为您下一代高端电源和功率驱动设计的秘密武器，共同开启高效、可靠的电能新时代。

型号:STW26NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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还在寻找那颗能同时扛起高压、大电流重任，又能保持冷静与高效的功率开关吗？STW26NM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和20A的连续电流能力，凭借其MDmesh II技术，实现了惊人的165毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率轻松跃升。

它更懂您在高频应用中的需求，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、驱动更轻松，直接助力提升系统功率密度和响应速度。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的小型化设计，其TO-247-3封装和强大的散热能力都为您提供了坚实的可靠性保障。选择STW26NM60N，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更具竞争力。