STW30N20

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高功率场景下稳定输出、同时保持低损耗的功率开关而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STW30N20，这颗源自意法半导体STripFET家族的N沟道MOSFET，正是为突破性能瓶颈、释放系统潜能而生的卓越解决方案。

想象一下，在您的工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源中，一颗功率器件需要承受高达200V的电压和30A的持续电流。这正是STW30N20大显身手的舞台。它凭借先进的MOSFET技术，在严苛的工况下展现出非凡的稳定性。其低至75毫欧的导通电阻（在15A, 10V条件下），意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被高效地输送到负载端，直接转化为您系统的出色性能和可观的能源节约。这不仅提升了整体效率，更显著降低了散热设计的压力与系统运行温度。

从自动化生产线上的伺服驱动器，到数据中心守护数据安全的备用电源，再到新能源领域的光伏逆变器，对功率器件的可靠性要求都极为苛刻。STW30N20拥有-55°C至150°C的宽广工作结温范围，配合TO-247-3的经典封装，确保了卓越的散热能力和机械坚固性，足以应对各种恶劣环境与长期连续工作的挑战。其优化的栅极电荷（仅38nC @ 10V）使得开关速度更快，驱动更轻松，有助于您设计出频率更高、体积更小的电源拓扑结构。

选择STW30N20，不仅仅是选择了一个参数优秀的元器件，更是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与经过市场验证的成熟解决方案。它能帮助您缩短研发周期，提升产品竞争力，在激烈的市场中构建起坚实的性能壁垒。如需获取官方技术支持和可靠的供货渠道，我们推荐您咨询专业的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW30N20成为您下一代高可靠性、高效率设计的核心动力，共同开启能效新纪元。

• 型号:STW30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW30N20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高达200V电压和30A电流的功率转换电路吗？STW30N20正是为您而来的得力助手。这颗N沟道MOSFET采用意法半导体成熟的STripFET技术，其核心使命就是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。它通过极低的导通电阻（典型值75毫欧）大幅减少导通损耗，将更多电能用于驱动负载，直接帮您提升整机效率并简化散热设计。

同时，它拥有快速的开关特性（栅极电荷仅38nC）和TO-247-3的坚固封装，让您能轻松构建高频率、高可靠性的电源架构，无论是工业驱动、电源供应还是能源管理应用，都能游刃有余。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。