STW35N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭650V高压与27A大电流的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？答案就在STW35N65M5之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的MDmesh V技术，重新定义了高效功率转换的标杆。它不仅是一颗半导体器件，更是您释放产品潜能、赢得市场竞争的关键钥匙。

当我们将目光投向实际应用，STW35N65M5的身影活跃于众多高要求领域。在服务器电源和通信电源中，它凭借高达650V的漏源电压和27A的连续电流能力，轻松应对严苛的负载波动，确保系统稳定可靠。对于工业电机驱动和UPS不间断电源而言，其低至98毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。即便在功率因数校正（PFC）电路和高效照明镇流器这类对开关性能极为敏感的应用中，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）也让它能够实现更快的开关速度，进一步减少开关损耗，让能效提升触手可及。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STW35N65M5？其核心价值在于ST独有的MDmesh V技术，这项技术完美平衡了导通电阻与开关性能，在高压下依然保持出色的效率。TO-247-3的经典封装提供了强大的散热能力，支持高达160W的功率耗散，结合150°C的最高结温，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和在恶劣环境下的持久耐力。选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商能够为您提供全面的技术支持和供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让STW35N65M5成为您下一代高性能电源和驱动设计的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STW35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW35N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？STW35N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的650V/27A N沟道MOSFET，拥有低至98毫欧的优异导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅参数强悍，更注重实际性能。优化的栅极电荷和电容特性让开关过程干净利落，有效减少开关损耗，提升整体能效。高达160W的耗散功率和150°C的结温，赋予了它卓越的可靠性和散热能力，即使面对严苛的工业环境也能从容应对。选择STW35N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏，轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。