STW38N65M5-4

在追求极致能效与可靠性的功率转换领域，您是否还在为开关损耗、系统热管理和长期稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一个颠覆性的解决方案STW38N65M5-4。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是工程师智慧的结晶，旨在为您的下一代电源、电机驱动和工业设备注入澎湃而高效的心脏。它代表了MDmesh M5系列技术的巅峰，将650V的耐压能力、30A的连续电流与业界领先的低导通电阻完美结合，为您扫清设计道路上的障碍。

想象一下，在服务器电源中，它如何以高达190W的功率处理能力，确保数据中心7x24小时不间断稳定运行；在新能源领域，如太阳能逆变器或电动汽车充电桩中，其卓越的开关特性如何最大化能量转换效率，将每一份绿色能源都物尽其用；在工业电机驱动和电焊机等严苛应用中，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，又如何保障设备在极端环境下依然坚若磐石。这正是STW38N65M5-4大显身手的舞台，它不仅是组件，更是您产品赢得市场信赖、实现差异化竞争的关键赋能者。

选择它，意味着您选择了一种更从容的设计哲学。其TO-247-4L封装不仅提供了优异的散热路径，四引脚设计更优化了开关性能，有效降低了栅极回路电感带来的振铃和损耗。仅95毫欧的超低导通电阻（在15A，10V条件下）直接转化为更低的传导损耗，而精心优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。这意味着更小的散热器、更紧凑的布局以及最终更低的系统总成本。当您需要可靠、高性能的ST功率器件时，与一家资深的ST芯片代理合作，将是确保稳定供应和获取全面技术支持的最佳途径。让STW38N65M5-4成为您设计蓝图中的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW38N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• 现在可以订购STW38N65M5-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高电压应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找答案吗？STW38N65M5-4就是为您准备的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高耐压和30A的强劲电流处理能力，基于ST先进的MDmesh M5技术，它能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而生，结温高达150°C，确保在工业级应用中的长期稳定。优化的栅极电荷和TO-247-4L封装，让您能轻松实现更快的开关频率和更简洁的散热设计，从而简化整体系统布局，加速产品上市进程。选择它，就是选择了一份卓越的性能保障。