STW40N60M2-4

您是否正在为下一代电源设计寻找那颗既能承载高功率，又能保持极致效率的“心脏”？当600V的电压与数十安培的电流交汇，对功率器件的考验便达到了严苛的级别。而答案，就蕴藏在STW40N60M2-4这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是意法半导体MDmesh II Plus技术皇冠上的一颗明珠，专为征服高效、高可靠性应用而诞生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源车载充电机的核心电路中，能量转换的每一瞬间都关乎整体系统的效能与稳定。STW40N60M2-4凭借其600V的坚固耐压和高达34A的连续电流承载能力，为您构建起一道可靠的能量闸门。其低至88毫欧的导通电阻，意味着在电流通过时产生的热量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。这不仅降低了散热设计的复杂度，更让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，轻松满足日益严格的能源标准。

选择STW40N60M2-4，就是选择了一份面向未来的投资。其采用的MDmesh II Plus技术，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙的平衡，57nC的低栅极电荷让开关动作既迅速又干净，显著减轻了驱动电路的压力。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然性能稳定，大大提升了终端产品的环境适应性和使用寿命。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份是您最坚实的后盾，确保您能心无旁骛地专注于创新与设计。

无论是追求功率密度的提升，还是致力于系统总拥有成本（TCO）的优化，STW40N60M2-4所提供的卓越性能与可靠性，都将成为您产品蓝图中最值得信赖的一环。让它为您的电力世界注入强劲而高效的动力，共同开启能效新纪元。

• 型号:STW40N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW40N60M2-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效的今天，一颗强大的功率开关芯片能为您带来什么？STW40N60M2-4正是意法半导体为您提供的答案。它基于先进的MDmesh II Plus技术，集600V高耐压、34A大电流与超低导通电阻于一身，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

这颗芯片能轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等严苛场景。其优异的开关特性（低栅极电荷）与低导通损耗，直接帮助您降低系统发热，提升整体能效，同时简化散热设计。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心，确保在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作，助您打造出更具市场竞争力的可靠解决方案。