STW40N95DK5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或需要在严苛环境下保持稳定输出时，是否曾思考过，一颗核心功率器件能带来多大的改变？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh DK5系列中的明星产品STW40N95DK5。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升系统性能、实现设计突破的关键钥匙。凭借其卓越的950V高耐压与38A的强大电流处理能力，这颗芯片从一开始就站在了高可靠性功率转换的制高点，专为应对现代电力电子中日益增长的能效与密度挑战而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些对效率和可靠性要求极高的场景中，每一次开关都关乎整体系统的成败。STW40N95DK5正是为此类应用量身打造。其采用的先进MDmesh DK5技术，实现了超低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是处理持续的高功率负载，还是在频繁开关的工况下，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，让设计再无后顾之忧。

选择STW40N95DK5，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。它继承了意法半导体在功率器件领域数十年的技术积淀，TO-247的经典封装提供了出色的散热能力和机械强度，便于集成与生产。更低的栅极电荷（Qg）特性简化了驱动电路设计，让开关过程更快、更干净，进一步减少开关损耗。当您追求极致的功率密度和能源效率时，这颗芯片所提供的性能余量和可靠性，将成为您产品在市场上脱颖而出的坚实基石。我们建议您通过正规的ST授权代理渠道进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术支持，让您的创新之旅从一颗值得信赖的芯片开始。

• 型号:STW40N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW40N95DK5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高电压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？STW40N95DK5 N沟道MOSFET正是您的高效解决方案。它拥有950V的惊人耐压和38A的连续电流能力，基于意法半导体先进的MDmesh DK5技术，能显著降低导通电阻，从而大幅减少能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对严苛的工业环境与持续的高功率需求。优异的开关特性（低栅极电荷）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，帮助您优化整体电路设计。其坚固的TO-247封装确保了出色的散热性能，结合宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），为您产品的长期稳定运行提供了坚实保障。