STW42N60M2-EP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW42N60M2-EP技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有600V的坚固耐压，更能将导通电阻降至极低水平，让系统效率轻松突破瓶颈。这正是STW42N60M2-EP为您带来的核心价值。作为意法半导体MDmesh M2-EP家族的明星成员，它专为应对苛刻的高压、高频应用而设计，其卓越的性能参数不仅仅是纸面数字，更是您产品在市场上脱颖而出的可靠基石。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STW42N60M2-EP都能游刃有余。它高达34A的连续漏极电流和仅为87毫欧的超低导通电阻，意味着在相同输出功率下，产生的热量更少，系统运行更凉爽、更稳定。这直接转化为更小的散热器尺寸、更低的系统复杂度和更长的产品寿命。在150°C的高结温下依然能可靠工作，赋予了您的设计前所未有的温度裕量和可靠性保障，让您的产品无惧严酷的工业环境挑战。

选择STW42N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的先进MDmesh M2-EP技术，在开关速度和导通损耗之间取得了完美平衡，55nC的低栅极电荷确保了快速开关和低驱动损耗，让高频开关电源的设计变得前所未有的高效。TO-247的经典封装提供了优异的功率耗散能力（高达250W），同时兼顾了安装的便利性与可靠性。当您需要稳定、高性能的供货与技术支援时，信赖专业的ST代理商将是您项目成功的有力后盾。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的关键一步。立即采用STW42N60M2-EP，为您的下一个电源设计注入高效与可靠的核心动力！

型号:STW42N60M2-EP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
现在可以订购STW42N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，且效率出众的功率开关吗？STW42N60M2-EP正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和34A的连续电流能力，其核心魅力在于采用MDmesh M2-EP技术，实现了仅87毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松应对高频开关的挑战。55nC的低栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。结合TO-247封装出色的散热能力，这颗芯片让您在设计高功率密度、高可靠性的工业级应用时信心倍增，轻松提升整体系统性能与能效等级。