STW43NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW43NM50N技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时，是否曾为寻找一颗既能承受高压大电流，又能保持出色开关性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STW43NM50N。这颗N沟道MOSFET以其500V的漏源电压和高达37A的连续漏极电流能力，为您的高压、大功率应用提供了坚实可靠的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现设计精简化的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，稳定与高效是永恒的追求。STW43NM50N正是为此而生。其先进的MDmesh II技术，通过优化单元结构和工艺，实现了极低的导通电阻（典型值远低于85毫欧）和出色的开关特性。这意味着在频繁的开关动作中，它能将导通损耗和开关损耗双双压低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而不是以热量的形式白白浪费。这不仅直接提升了您的终端产品效率，更能帮助您设计出更紧凑、散热要求更低的系统，在激烈的市场竞争中赢得先机。

选择STW43NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。TO-247-3的经典封装形式，确保了强大的散热能力和便捷的安装工艺。高达255W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它应对瞬时过载和恶劣工作环境的强大韧性。无论您是升级现有方案还是开发全新平台，这颗芯片都能让您的设计游刃有余。为了确保您能获得原装正品和全面的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。立即行动，让STW43NM50N成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STW43NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 18.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:255W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
现在可以订购STW43NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流电路的开关损耗和散热问题头疼吗？STW43NM50N正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有500V/37A的强悍规格，其核心价值在于让您的电源转换效率实现飞跃。

它凭借先进的沟槽技术，将导通电阻降至极低水平，显著减少了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了干净利落的开关动作，有效抑制了开关损耗和电磁干扰。这意味着，您不仅能轻松提升系统整体能效，还能简化散热设计，让产品运行更凉爽、更稳定。无论是驱动电机还是处理功率转换，STW43NM50N都能助您一臂之力，高效完成任务。