STW45N60DM2AG

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STW45N60DM2AG。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的漏源电压和高达34A的连续漏极电流，为您的高压高流应用注入了澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、缩小体积并增强耐用性的关键伙伴。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，或在工业伺服驱动器的功率级，甚至在不断电系统(UPS)和太阳能逆变器的核心电路里，能量转换的效率直接决定了产品的市场竞争力和用户体验。STW45N60DM2AG凭借其先进的MDmesh DM2技术，将导通电阻(RdsOn)在10V驱动下控制在极低的93毫欧，这意味着更少的导通损耗和热量产生。更低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)则确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在频繁的开关动作中依然保持冷静与高效，轻松应对汽车级AEC-Q101的严苛环境要求。

选择它，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其TO-247封装提供了卓越的散热能力，支持高达250W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽广结温工作范围，确保了在极端温度下的稳定运行。无论是追求功率密度的提升，还是系统长期可靠性的加固，这颗芯片都能完美胜任。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST中国代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。让STW45N60DM2AG成为您下一个明星产品的强大引擎，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW45N60DM2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在为高压电源转换寻找一颗既能扛住大电流，又能保持低损耗的“硬核”开关？STW45N60DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗600V/34A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh DM2技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对从工业电机驱动到新能源逆变器的各种挑战。其优化的动态性能和坚固的TO-247封装，确保了在高功率应用中的卓越可靠性和散热能力，助您打造出更紧凑、更耐用的高性能产品。