STW48N60M2-4

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？想象一下，一款能够在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的新一代解决方案STW48N60M2-4，它正是为破解这些核心难题而生。

这款采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，不仅仅是一个简单的开关。它拥有高达42A的连续漏极电流和仅为70毫欧的超低导通电阻，这意味着在相同的电流下，它能显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送到负载端，而不是以热量的形式白白浪费。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，能有效降低开关损耗和电磁干扰，让您的电源系统运行得更安静、更凉爽。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是服务器电源中要求苛刻的能效标准，它都能游刃有余，提供稳定可靠的核心动力。

当您在设计新一代太阳能逆变器、高性能充电桩或是不间断电源系统时，选择STW48N60M2-4就意味着选择了更高的功率密度和更长的系统寿命。其TO-247-4L封装不仅提供了优异的散热路径，更能承受高达300W的功率耗散，确保器件在高温高负荷环境下依然坚如磐石。这背后是意法半导体对品质的严苛追求，而通过值得信赖的ST代理，您可以轻松获得原厂正品支持与专业的技术服务。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略伙伴。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一个爆款产品中沉默却强大的英雄。

• 型号:STW48N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• 现在可以订购STW48N60M2-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？STW48N60M2-4正是您的理想之选。这颗基于MDmesh M2技术的600V/42A MOSFET，凭借其极低的70毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率轻松跃升。

它拥有优化的动态特性，帮助您有效管理开关损耗和电磁干扰，确保系统运行更安静、更稳定。高达300W的功率处理能力和坚固的TO-247-4L封装，让您在设计高功率密度应用时信心十足，轻松应对严苛的工作环境挑战。