STW48N60M6-4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW48N60M6-4技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？当开关损耗成为性能提升的绊脚石，选择一款真正高效的功率MOSFET至关重要。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh M6家族的明星产品STW48N60M6-4，它将为您带来前所未有的效率飞跃和设计自由。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率密度充电桩的核心电路中，一颗MOSFET正以极高的频率切换，每一次开关都伴随着能量的转换与损耗。而STW48N60M6-4凭借其革命性的MDmesh M6技术，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的69毫欧，同时栅极电荷（Qg）也得到显著优化。这意味着在相同的电流和电压条件下，它能产生更少的热量，实现更高的开关频率，从而让您的电源系统体积更小、效率更高、运行更凉爽。这不仅仅是参数的提升，更是系统级性能的全面革新。

无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致可靠性的汽车应用预研，STW48N60M6-4都能游刃有余。其600V的漏源电压和39A的连续漏极电流，为功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器、电机逆变器等拓扑结构提供了坚实的保障。TO-247-4封装不仅确保了出色的散热能力，其额外的开尔文源极引脚更能有效减少寄生电感的影响，让开关过程更加干净利落，显著抑制电压尖峰和振荡，提升系统的EMI性能和整体可靠性。选择它，就是为您的产品注入了稳定与高效的核心基因。

为什么众多领先的电源设计师都信赖这款产品？答案在于它卓越的价值平衡。它不仅在关键性能指标上表现出色，更通过意法半导体成熟的工艺和品控，确保了极佳的一致性与长期可靠性。当您通过官方授权的ST代理进行采购时，您获得的不仅是一颗高质量的芯片，更是完整的技术支持、稳定的供货保障和值得信赖的合作伙伴。在竞争日益激烈的市场，让STW48N60M6-4成为您打造下一代高性能、高可靠性功率系统的秘密武器，助您轻松跨越设计挑战，赢得市场先机。

型号:STW48N60M6-4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-4
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4
封装/外壳:TO-247-4
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您正在设计一款需要处理高功率、同时又对效率极为苛刻的电源或驱动方案吗？STW48N60M6-4正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和39A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的69毫欧导通电阻与优化的栅极电荷。这直接意味着，在您的电路中，它能大幅降低导通与开关损耗，让电能转换更高效，发热更少。

无论是构建紧凑型服务器电源、高功率工业电机驱动器，还是下一代电动汽车充电模块，它都能让您轻松应对。优异的性能参数结合TO-247-4封装出色的散热特性，确保您的系统在-55°C至150°C的宽温范围内稳定运行，实现更高的功率密度和可靠性。选择STW48N60M6-4，就是选择了一个让设计更简单、性能更出众的强力核心。