STW48N60M6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW48N60M6技术参数详情：

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时驾驭高功率与快速响应的核心开关？答案或许就藏在STW48N60M6这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、降低能耗并确保长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关都关乎着整体能效与热量管理。STW48N60M6凭借其高达600V的漏源电压和39A的连续漏极电流承载能力，为这些高压、大电流应用场景提供了坚实的保障。其核心采用的MDmesh M6技术，是意法半导体多年创新的结晶，它通过优化的单元结构，显著降低了导通电阻，这意味着在相同的电流下，芯片自身的功耗和发热更少，从而让您的系统运行得更凉爽、更持久。无论是面对严苛的工业环境还是需要7x24小时不间断运行的通信设备，它都能游刃有余。

选择STW48N60M6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其低至69毫欧的导通电阻与优化的栅极电荷特性，共同实现了极低的开关损耗，让您的电源转换效率轻松迈上新台阶。TO-247的经典封装不仅提供了出色的散热性能，也确保了在各种PCB布局中的安装便利性与机械强度。更重要的是，当您通过值得信赖的ST代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，还有完整的技术支持与供应链稳定性，让您的产品从研发到量产全程无忧。现在就让它成为您下一个成功设计的强大心脏吧！

型号:STW48N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您是否希望为您的电源系统找到一颗既能扛住高压大电流，又能保持高效冷静的“心脏”？STW48N60M6正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V/39A的强悍规格，其采用的先进MDmesh M6技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，直接帮助您提升系统效率，减少热量产生。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、光伏逆变器等高要求应用。优异的动态特性与TO-247封装带来的强大散热能力相结合，确保了系统在-55°C至150°C的宽温范围内稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。