STW50NB20

当您的电源系统需要处理高达280W的功率时，您是否在为寻找一款既能承受高压冲击又能保持高效稳定的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前STW50NB20，这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的功率挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您系统可靠性与效率的坚实保障。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高功率开关电源中，稳定的200V耐压和50A的连续电流处理能力意味着什么？它意味着您的设备可以在更宽的负载范围内稳定运行，减少因电压波动或过载导致的意外停机。其TO-247-3封装不仅提供了优异的散热路径，确保在高达150°C的结温下依然坚挺，更让工程师在布局时拥有更大的灵活性。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要高效能量转换的电源模块，这颗芯片都能游刃有余地担当核心开关角色，将电能精准、高效地输送到每一个需要它的角落。

为什么众多资深工程师在面临关键选型时会倾向于STW50NB20？其核心秘密在于ST独有的PowerMESH技术。这项技术巧妙地平衡了导通电阻与开关性能，在10V驱动电压下，导通电阻低至55毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，减少了开关损耗，让您的系统响应更迅捷，运行更安静。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一颗高性能的MOSFET，更是ST意法半导体深厚的工艺积淀和可靠的质量承诺，为您的产品从设计到量产全程保驾护航。

尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在存量项目维护、特定高可靠性设计或对经典方案有需求的场景中，依然具有不可替代的价值。选择STW50NB20，就是选择了一份经过时间考验的稳定与强大，它能让您的功率系统在性能与可靠性上达到新的高度，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STW50NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW50NB20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STW50NB20来为您分忧！这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和50A的强大电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景设计。

它采用ST先进的PowerMESH技术，在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、更高效。同时，其优化的开关特性有助于提升整体能效，而坚固的TO-247封装确保了出色的散热性能，即使在高温环境下也能稳定工作。

无论是升级现有设计还是开发高性能新品，STW50NB20都能让您轻松应对高功率挑战，是实现高效、可靠功率管理的理想选择。