STW52NK25Z

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够显著降低导通电阻、提升系统整体效率的功率器件，将如何为您的电源设计带来革命性的改变。这正是STW52NK25Z诞生的意义它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术皇冠上的一颗明珠，专为应对高功率、高频率应用的严苛挑战而精心打造。

当您面对服务器电源、工业电机驱动、大功率照明或新能源逆变器时，对器件的可靠性与效率要求近乎苛刻。STW52NK25Z凭借其250V的漏源电压和高达52A的连续漏极电流能力，为您提供了坚实的性能基石。更令人振奋的是，其极低的45毫欧导通电阻（在26A，10V条件下），意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了系统效率，更简化了散热设计，让您的产品在紧凑空间内也能稳定释放澎湃动力。

选择STW52NK25Z，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这对于降低开关损耗、提升频率响应至关重要。高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在最恶劣的环境下也能游刃有余。TO-247-3的经典封装，则提供了卓越的散热性能和成熟的安装工艺支持。我们合作的ST授权代理，将为您提供从选型到供应的全方位专业服务，确保这颗高性能芯片的价值能在您的设计中得到完美释放。让STW52NK25Z成为您下一款明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW52NK25Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW52NK25Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起高功率开关重任的“硬核”器件吗？STW52NK25Z正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，集250V耐压与52A大电流能力于一身，其核心魅力在于超低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷与输入电容）让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小被动元件体积，优化整体方案成本与尺寸。无论是面对工业级的严酷温度挑战，还是需要处理瞬间大功率脉冲，STW52NK25Z的坚固设计和TO-247封装都能提供可靠的保障，让您的产品性能稳如磐石，竞争力脱颖而出。