STW55NM60ND

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为高功率密度与系统可靠性之间的平衡而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW55NM60ND。这颗来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和高达51A的连续漏极电流能力，早已成为众多高性能电源和电机驱动设计中的核心支柱。虽然它已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性，使其在特定应用和库存市场中依然闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至新能源逆变器等要求严苛的场景中，系统需要在高压、大电流下稳定运行，同时还要应对频繁的开关动作和热应力挑战。STW55NM60ND正是为此而生。它采用先进的FDmesh II技术，在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）低至60毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。配合高达350W的功率耗散能力和150°C的结温，它能轻松应对高温工作环境，让您的系统运行更凉爽、更持久，显著提升整体能效和功率密度。

选择STW55NM60ND，不仅仅是选择了一颗高性能的功率开关器件，更是选择了一份经过时间考验的安心与稳定。其经典的TO-247-3封装提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合通孔安装的功率板卡设计。对于那些正在维护或升级现有成熟平台，并需要可靠、高性能元器件的工程师而言，这颗芯片的价值不言而喻。虽然原厂已停产，但通过值得信赖的ST代理商，您依然有机会获取高质量的库存，为您的关键项目注入这颗“经典心脏”，确保系统动力澎湃，运行无忧。

• 型号:STW55NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW55NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“功率开关”吗？STW55NM60ND就是您值得信赖的伙伴！它基于意法半导体成熟的FDmesh II技术，为您提供高达600V的击穿电压和51A的连续电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或逆变器时，对高压侧开关充满信心。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效。极低的导通电阻（仅60毫欧@10V）意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的系统运行更高效、更凉爽。同时，它坚固的TO-247封装和宽泛的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定性和可靠性，大大简化您的散热设计和系统维护工作。