STW60NE10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW60NE10技术参数详情：

当您的电源转换系统需要在高功率密度与卓越效率之间找到完美平衡点时，您是否曾为选择一颗性能可靠、成本优化的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的经典解决方案STW60NE10。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压能力和高达60A的连续漏极电流，早已成为众多工程师在工业电源、电机驱动和UPS不间断电源等应用中的信心之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体能效、确保长期稳定运行的坚实基石。

想象一下，在您的服务器电源模块中，需要高效处理大电流的开关动作；或者在电动工具的电机驱动电路中，要求器件在频繁启停和重载条件下依然保持低温升。这正是STW60NE10大显身手的舞台。它采用先进的STripFET技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅22毫欧@30A, 10V），这意味着在传导过程中产生的热量更少，能量损耗显著降低。其TO-247-3的经典封装，不仅提供了优异的散热能力，支持高达180W的功率耗散，也让它在PCB布局和热管理设计上拥有极高的灵活性，轻松应对紧凑空间内的散热挑战。

选择STW60NE10，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。其高达175°C的结温工作能力，确保了在严苛环境下的稳定表现。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能指标，使其在存量市场、特定项目升级或对经典方案有需求的场景中，依然具有不可替代的价值。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST代理渠道进行咨询和采购，是获取正品保障和可靠供应链服务的最佳途径。让这颗经典的功率器件，继续为您的创新产品注入高效、可靠的动力核心，简化您的设计，放大您的产品价值。

型号:STW60NE10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:180W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起大电流开关重任、同时保持高效冷静的功率MOSFET吗？STW60NE10正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心价值在于采用STripFET技术，实现了极低的导通电阻，能显著减少开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对高功率密度设计。TO-247-3封装提供了卓越的散热性能，结合高达180W的功率耗散能力，确保器件即使在重载条件下也能稳定工作。无论是提升能效、简化热管理，还是追求系统长期可靠性，STW60NE10都能成为您设计中值得信赖的功率开关选择。