STW60NM50N

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高功率密度与系统稳定性之间的平衡而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的一颗璀璨明星STW60NM50N。这款N沟道功率MOSFET，以其500V的坚固耐压和高达68A的连续电流处理能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、缩小产品体积、赢得市场竞争的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率UPS或太阳能逆变器的核心电路中，STW60NM50N正以其卓越的性能默默工作。其标志性的低导通电阻（典型值仅43毫欧），意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还显著降低了电磁干扰（EMI），让您的产品设计更容易通过严苛的认证标准。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要持续稳定输出的电源模块，它都能游刃有余。

选择STW60NM50N，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。MDmesh II技术赋予了它出色的耐用性和热性能，TO-247封装提供了强大的散热能力，确保在高达150°C的结温下依然稳定可靠。这意味着您的产品将拥有更长的使用寿命和更高的市场口碑。虽然该型号已进入停产周期，但其成熟的设计、广泛的应用验证和市场上可观的库存，使其成为许多经典设计升级或长期维护项目的理想选择。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST芯片代理进行采购。立即行动，让STW60NM50N成为您下一代高性能电力电子设备的坚强心脏，共同开启高效、可靠的新篇章！

• 型号:STW60NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:178 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW60NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起高功率重任的“核心开关”吗？STW60NM50N正是为您而来！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V/68A的强悍规格，旨在让您的电源或电机驱动设计脱胎换骨。

它的核心价值在于“高效”与“可靠”。极低的导通电阻能显著减少导通损耗，直接提升您的系统效率；而优化的动态特性则让开关更快速、更干净，帮助您轻松应对EMI挑战。无论是工业变频器、不间断电源，还是新能源转换设备，它都能提供稳定持久的动力支持，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越性能脱颖而出。